Меню

• Главная
• Информационные сети связи
• Построение вычислительной сети
• Сервисы мобильной связи
• Компьютерная схемотехника
• Конструирование радиорелейной линии
• Принципы телевизионного вещания
• Разделение каналов в радиолинии
• Устройства радиоволнового контроля

Температурные зависимости параметров вольт-амперной характеристики резонансно-туннельного диода

Рис. 18

При понижении температуры разность токов пика и долины увеличивается.

) Зависимость отношения ток пика/ток долины от температуры образца.

Рис. 19

Отношение тока пика к току долины схоже зависит от температуры, как и в случае прямого подключения РТД.

) Зависимость средней дифференциальной проводимости от температуры образца.

Рис. 20

При понижении температуры средняя дифференциальная проводимость уменьшается.

) Зависимость средней мощности возможного излучения от температуры образца.

Рис. 21

Из полученной зависимости видно, что при понижении температуры мощность возможного излучения увеличивается.

. Измерение ВФХ РТД.

Для получения ВФХ был использован метод, основанный на измерении разности фаз между током и напряжением измерительного сигнала, с помощью фазового детектора. Напряжение смещения задавалось с внешнего прецизионного источника питания. Для охлаждения образца до температуры 12 К был применен криокулер, использующий замкнутый цикл гелия.

ВФХ при Т=293К

Рис. 22

Полученные зависимости ВФХ имеют немонотонный характер - наблюдаются области с почти неменяющейся ёмкостью, области с резкими пиками и отрицательной ёмкостью. Все особенности кривой находятся в области отрицательной дифференциальной проводимости. При прохождении в обратном направлении наблюдается небольшой гистерезис в пиках.

Рис. 23

ВФХ при Т=12К.

При понижении температуры общий характер кривой сохраняется, однако все особенности в области ОДП достаточно сильно сглаживаются.

Рис. 24

резонансный туннельный диод напряжение

Рис. 25

Рис. 26

Выводы

В работе были измерены ВАХ и ВФХ РТД при температурах от 298 К до 12 К в прямом и обратном направлениях.

ВАХ изменяется с падением температуры как внутри области ОДП, так и до области ОДП (выполаживается), и сама область ОДП смещается в сторону больших напряжений. По полученным ВАХ были найдены:

значения максимума модуля отрицательной дифференциальной проводимости. При прямом подключении с уменьшением температуры образца максимальное значение ОДП увеличивается и смещается в сторону более высоких напряжений. При подключении РТД в обратном направлении с понижением температуры максимум дифференциальной проводимости уменьшается;

зависимость границ ОДП от температуры образца. Оказалось, что при прямом включении РТД понижение температуры способствует сужению области ОДП, а при обратном-расширению;

зависимость тока пика и тока долины от температуры образца. И в прямом, и в обратном направлении при понижении температуры разность токов пика и долины увеличивается;

зависимость отношения ток пика/ток долины от температуры образца. Обнаружено, что с понижением температуры до азотной, отношение растёт, при дальнейшем понижении температуры отношение токи пика/долины выходит практически на постоянное значение. Данная тенденция сохраняется при прямом и обратном включении РТД;

зависимость средней дифференциальной проводимости от температуры образца. При понижении температуры средняя дифференциальная проводимость увеличивается при прямом подключении и уменьшается при обратном;

Другие статьи:

Общие сведения и структура радиосистемы передачи информации
На сегодняшний день одной из самых злободневных задач, стоящих перед всеми правоохранительными органами и, в частности, органами внутренних дел, является борьба с терроризмом, угроза проявления которого используется как средс ...

Проектирование локальной вычислительной сети управления систем связи и телекоммуникаций
Локальные вычислительные сети управления систем связи и телекоммуникаций на сегодняшний день довольно актуальны. Наличие в офисе ЛВС создает для ее пользователей новые возможности интегрального характера. Объединение устройств в сеть п ...

Сложный инвертор
Рассчитать элементы базовой схемы (рис. 1) логического элемента ТТЛ (транзисторно-транзисторная логика) 3И-НЕ, обеспечивающие ее работу. Коэффициент разветвления принять равным 15. Значение принять равным 10 для всех тран ...