Меню

Температурные зависимости параметров вольт-амперной характеристики резонансно-туннельного диода

Табл. 1 - Размеры слоев двухбарьерной квантовой структуры

№ слоя

Материал

Толщина слоя, А

1-конт.слой

GaAs, концентр.носителей 1*1018 см-3

1000

2-спейсер

GaAs, нелегированный

100

3-барьер

AlAs, нелегированный

23

4-кв.яма

GaAs, нелегированный

45

5-барьер

AlAs, нелегированный

20

6-спейсер

GaAs, нелегированный

400

7-конт.слой

GaAs, концентр.носителей 1*1018 см-3

5000

На рис. 8 представлена фотография двух образцов с мезой 6х6 мкм2, сделанная оптическим микроскопом с 200-кратным увеличением. На нижней контактной площадке размещена структура, сверху подведена верхняя контактная площадка.

Рис. 8 - Энергетическая диаграмма РТД с приложенным напряжением смещения

Рис. 9 - Образец с мезой 6х6 мкм2

Стоит заметить, что структура несимметричная, основное отличие в размере спейсерных слоёв. Поэтому были проведены исследования как прямого, так и обратного включения РТД. Прямое и обратное включение определяется направлением тока через структуру. Измерения ВАХ и ВФХ РТД проводились на созданных ранее специализированных установках. Напряжение смещения задавалось с внешнего прецизионного источника питания. Для охлаждения образца до температуры 12 К был применен криокулер, использующий замкнутый цикл гелия.

. Измерение ВАХ РТД.

Основными параметрами, характеризующими ВАХ, являются отношение токов пик-долина, положение и ширина области отрицательной дифференциальной проводимости (ОДП).

Измерение ВАХ при прямом включении РТД (образец с мезой 6х6 мкм2)

В диапазоне температур 12- 293 К были измерены вольт-амперные характеристики образцов в прямом направлении. На рис.1 приведены ВАХ, полученные при температурах Т = 293 К и Т = 12 К.

Рис. 10 - ВАХ РТД в прямом направлении

Как можно заметить, ВАХ изменяется с падением температуры как внутри области ОДП, так и до области ОДП (выполаживается), и сама область ОДП смещается в сторону больших напряжений.

По полученным ВАХ были найдены значения максимума модуля отрицательной дифференциальной проводимости:

 

Т=12 К

Т=293 К

Максимальный модуль ОДС, ±0,1 См

0,53

0,20

Напряжение смещения, ±2 мВ

1344

1084

Перейти на страницу: 1 2 3 4 5 6 7

Другие статьи:

Амплитудная и угловая модуляция сигналов
Перенос сигнала из одной точки пространства в другую осуществляет система электросвязи. Электрический сигнал является, по сути, формой представления сообщения для передачи его системой электросвязи. Чтобы передать сигнал в ...

Система вентиляции Siemens LOGO
Автоматизация является одним из важнейших факторов роста производительности труда в промышленном производстве. Непрерывным условием ускорения темпов роста автоматизации является развития технических средств автоматизации. К т ...

Принцип построения РЛС управления воздушным движением
Радиолокационные станции системы управления воздушным движением (УВД) являются основным средством сбора информации о воздушной обстановке для диспетчерского состава службы движения и средством контроля за ходом выполнения пл ...

(C) 2021 | www.techniformula.ru