Меню

• Главная
• Информационные сети связи
• Построение вычислительной сети
• Сервисы мобильной связи
• Компьютерная схемотехника
• Конструирование радиорелейной линии
• Принципы телевизионного вещания
• Разделение каналов в радиолинии
• Устройства радиоволнового контроля

Сложный инвертор

Рассчитать элементы базовой схемы (рис. 1) логического элемента ТТЛ (транзисторно-транзисторная логика) 3И-НЕ, обеспечивающие ее работу. Коэффициент разветвления принять равным 15. Значение принять равным 10 для всех транзисторов в схеме. Построить характеристику сложного инвертора.

Рисунок 1 - Сложный инвертор

Описание сложного инвертора

При подаче высокого уровня напряжения на вход транзистора VT1, переходы Э-Б транзистора VT1смещены в обратном направлении и ток через переход К-Б проходит в базу транзистора VT2, далее ток проходит в базу транзистора VT4, что приводит транзисторы VT2 и VT4 к насыщению. МЭТ (многоэмитторный транзистор) работает в инверсном активном режиме, т.к. все переходы Э-Б смещены в обратном направлении, а переход К-Б смещен в прямом направлении. Транзистор VT3 закрывается, т.к. напряжение между коллекторами транзисторов VT2 и VT4 становится ниже, чем суммарный порог отпирания транзистора VT3 и смещающего диода VD. Диод предназначен для надежного запирания транзистора VT3 при насыщении транзисторов VT2 и VT4. В результате выходное напряжение UкVT4 соответствует низкому уровню напряжения. Когда напряжение хотя бы на одном из выходов равно низкому уровню напряжения, то соответствующий переход Э-Б МЭТ смещается в прямом направлении и весь ток, протекающий через сопротивление R1, поступает во входящую цепь схемы и МЭТ входит в насыщение, коллекторный ток МЭТ уменьшается. При этом напряжение на базе транзистора VT2 составляет сотые доли вольта, поэтому транзисторы VT2 и VT4 закрыты.

. Исходные данные

Еп=5В,

=30,

Краз=15,

Uвх0=1,5В,

Uвх1=2,5В,

Uвых0=0,1В,

Uвых1=3,8В,

Iвых=20мА.

Константы, используемые в дальнейшем расчете схемы:

. Расчет схемы

. Рассчитаем напряжение UR4:

Напряжение на диоде VD: UD=0,2В.

Определим сопротивление R4:

Рассчитаем мощность этого резистора:

Выбираем резистор МЛТ-0,125, номиналом 20Ом;

Транзистор VT3 открыт, транзисторы VT2 и VT4 закрыты (рис. 2).

Рисунок 2

. Рассчитаем напряжение UR2:

Определим сопротивление R2:

Рассчитаем ток на резисторе R2:

Рассчитаем мощность этого резистора:

Выбираем резистор МЛТ-0,125, номиналом 220Ом;

сложный инвертор транзистор

3. Рассчитаем токи на транзисторе VT4 и сопротивление R3 (рис.3):

Рисунок 3

Рассчитаем ток базы IБVT4:

Рассчитаем ток на резисторе R3:

Определим сопротивление R3:

Рассчитаем мощность этого резистора:

Выбираем резистор МЛТ-0,125, номиналом 36Ом;

4. Рассчитаем токи на транзисторе VT2:

Рассчитаем ток эмиттера VT2:

Рассчитаем ток базы VT2:

. Рассчитаем токи на транзисторе VT1 и сопротивление R1 (рис.4):

Рисунок 4

Рассчитаем ток базы транзистора VT1:

Определим сопротивление R1:

Рассчитаем мощность этого резистора:

Выбираем транзистор МЛТ-0,125, номиналом 2кОм;

. Расчет и построение выходной характеристики (рис.5):

Рисунок 5

Условие перехода из активного режима в режим насыщения:

Построим выходную характеристику:

Выходная характеристика.

. Расчет и построение входной характеристики (рис.6):

Рисунок 6

Построим входную характеристику:

Входная характеристика.

. Выбор транзистора:

Выбираем транзистор малой мощности, таким образом, чтобы предельный ток коллектора превышал заданного выходного тока, подходит транзистор КТ315Ж.

Его номинальные параметры:

Тип элемента
КТ315Ж	50	60	100	393	10…220	1

КТ315Ж - Транзистор высокочастотный, маломощный, n-p-n.

Другие статьи:

Элементная база радиотехники
Подобно световым волнам, радиоволны могут практически без потерь распространяться на большие расстояния в земной атмосфере, и это делает их полезнейшими носителями закодированной информации. После появления уравнений Максве ...

Усилительные свойства одиночных каскадов
Усилительные каскады РЭА любой степени сложности могут быть представлены в виде различных комбинаций трёх основных схем включения транзисторов: с общим эмиттером (ОЭ), с общим коллектором (ОК) и с общей базой (ОБ). (Для полев ...

Роль и значение технологий интеллектуального дома в формировании комфортных условий среды
Роль и значение технологий интеллектуального дома в формировании комфортных условий среды Каждая эпоха имеет свои представления о том, что такое современно, удобно, необходимо, красиво. И вряд ли кому-то сейчас покажется н ...